対象アプリケーション

• アモルファスシリコンの単結晶帯形成が可能

特徴

• 半導体レーザー搭載のため、安価でメンテナンスフリー
• 研究開発用途に金属材料や半導体材料

装置仕様

• □500mmまでのサンプル処理可能
• 500mm/s以上の走査速度
• 繰り返し位置決め精度　1µm以下
• 走査型オートフォーカス機能

技術シーズ

• 「LD（405nm）とプリズム」の組合わせ

　　　島根大学「葉研究室」⇒基本特許保有

• 最大メリット

　　　エキシマからLDへの代替で低コスト化
　　　簡易構成によりマルチヘッド化可能

シェブロン型の優位性

• 均一な熱溶解を行い、結晶が沿面成長(ラテラル成長)するため粒界のない単結晶で且つ、平坦な結晶面が得られる（キンク生成機構）

LaSでの単結晶化再現

• シェブロンビーム光学系を試作し10µmストライプへの結晶化

　　　→　単結晶の形成が確認できた
　　　　　均一な結晶方位100
　　　　　粒界が見られない