レーザー加工関連製品のメーカー(半導体、MEMS、LED分野のダイサー・スクライバー等)
株式会社レーザーシステム
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サファイア基板のスクライブ加工
独自開発の光学系により、様々な形状のグルーブを実現します。
幅5μm / 深17μm
上面
幅5μm / 深22μm
割断面
幅16μm / 深14μm
グルーブ断面
幅9μm / 深70μm
グルーブ断面
SiC基板のスクライブ加工 (基板厚400μm,カーフ幅<10μm)
超硬質材料であるSiCの加工も可能です。パワーデバイスやLED用途を想定しています。
上面
割断面
割断面
割断面
ガラス層内部への高密度マーキング
情報が材料の内部に書き込まれているため、データの改ざんを防止できます。また、高精細な加工が可能であるため、ウェハ単位ではなく、チップ単位のマーキングを実現します。
加工後の表面観察像
加工後の内部観察像 (5μm内部)
材料表面への周期構造形成
光学的特性、或いは機械的特性の変化をもたらす表面処理に適しています。 サブミクロンオーダーまでのパターン形成が可能です。
L/S 2μmピッチ